STD70N6F3技术参数详情：
STD70N6F3是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET III系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心电气参数包括60V漏源电压（Vdss）和70A连续漏极电流（Tc）处理能力，为中等功率应用提供了可靠的开关基础。
其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值低至10.5毫欧（@35A），显著降低了导通损耗。同时，最大35nC的栅极电荷（Qg @10V）有助于实现快速开关并减少驱动损耗。宽泛的结温工作范围（-55°C 至 175°C）和110W的功率耗散能力，确保了其在各种环境下的稳定性和耐用性。
- 型号:STD70N6F3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 70A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 35A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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