STL40DN3LLH5技术参数详情：
STL40DN3LLH5是ST意法半导体STripFET V系列中的一款有源、双N沟道功率MOSFET阵列。该器件设计用于高效功率转换，其核心优势在于极低的导通电阻与优化的动态参数。
它在30V漏源电压下支持高达40A的连续电流，最大导通电阻仅为18毫欧，显著降低了传导损耗。同时，极低的栅极电荷（4.5nC）和输入电容确保了快速的开关速度，有助于最小化开关损耗。其采用热增强型表面贴装PowerFLAT56封装，工作结温范围宽达-55°C至175°C，为高密度、高可靠性电源应用提供了紧凑而强大的解决方案。
- 型号:STL40DN3LLH5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N-通道（双）
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 5.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.5nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:475pF @ 25V
- 功率 - 最大值:60W
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
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