STD70NH02LT4

STD70NH02LT4是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，采用STripFET II技术，封装于DPAK。其核心电气特性包括24V的漏源电压（Vdss）以及在壳温条件下高达60A的连续漏极电流（Id）处理能力。

该器件的突出卖点在于其优异的开关性能与导通特性：在10V Vgs、30A Id条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至8毫欧，有效降低了导通损耗；同时，最大栅极电荷（Qg）仅为22nC，确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗。这些特性使其成为高效率、高功率密度设计的理想选择。

• 型号:STD70NH02LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 60A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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