STQ1HN60K3-AP技术参数详情：
STQ1HN60K3-AP是意法半导体SuperMESH3系列中的一款N沟道MOSFET，采用TO-92-3封装。其核心优势在于高达600V的漏源击穿电压（Vdss）与优化的动态特性平衡，在10V驱动下具备较低的导通电阻，同时栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）极低，这共同保障了高效、快速的开关性能。
该器件设计用于处理中等电流（连续漏极电流400mA），最大功耗为3W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在高压开关电源、功率转换及电机驱动等应用中的鲁棒性与可靠性。其参数组合使其成为要求高压隔离与高效开关的紧凑型设计的理想选择之一。
- 型号:STQ1HN60K3-AP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-92-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
- 包装:带盒（TB）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400mA（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 600mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:140 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:3W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-92-3
- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
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