STD7LN80K5

STD7LN80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心额定参数为800V漏源电压（V_DSS）和5A连续漏极电流（I_D）。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上：在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至1.15Ω，同时栅极总电荷（Q_g）最大值仅为12nC。这种特性组合能显著降低导通损耗和开关损耗，提升电源系统的整体效率。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在各类环境下的稳定性和可靠性。

因此，STD7LN80K5是设计高效率、高功率密度开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路以及LED驱动等应用的理想高压开关选择。

• 型号:STD7LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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