STP7N90K5

STP7N90K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件设计用于高压、高能效应用，其核心优势在于提供了900V的漏源电压（Vdss）和经过优化的低导通电阻，这使其在导通期间的功率损耗显著降低。

此外，该MOSFET具备7A的连续漏极电流能力和低栅极电荷特性，有助于简化驱动电路设计并提升开关速度。其采用TO-220封装，最大功耗为110W，工作温度范围宽（-55°C ~ 150°C TJ），确保了在工业级电源转换和电机控制等应用中的鲁棒性和长期可靠性。

• 型号:STP7N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 7A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
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