STD7N60M2

STD7N60M2是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件采用DPAK封装，核心优势在于其600V的高漏源电压（Vdss）与较低的导通电阻（Rds(on)）相结合，有效降低了功率开关应用中的传导损耗。

其电气参数针对高效开关进行了优化，包括较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这有助于实现更快的开关速度和降低驱动损耗，从而提升系统整体效率。器件额定连续漏极电流（Id）为5A（Tc），工作结温范围宽（-55°C ~ 150°C），确保了在工业级电源、照明和电机控制等应用中的鲁棒性和长期可靠性。

• 型号:STD7N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:271 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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