STW120NF10技术参数详情：
STW120NF10是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心优势在于其极低的导通电阻（最大值10.5mΩ @ 10V, 60A）与高达110A（Tc）的连续漏极电流处理能力，这使其在导通状态下的功率损耗显著降低。
其100V的漏源电压额定值结合优化的栅极电荷（最大值233nC @ 10V），确保了高效的开关性能和快速的动态响应。该MOSFET设计用于在-55°C至175°C的宽结温范围内可靠工作，最大功率耗散达312W（Tc），非常适合要求高功率密度和高可靠性的应用场景。
- 型号:STW120NF10
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 110A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 60A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:233 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5200 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:312W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
- 现在可以订购STW120NF10，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
