STD7NK40ZT4技术参数详情：
STD7NK40ZT4是意法半导体推出的一款采用SuperMESH技术的N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其400V的高压阻断能力与低至1欧姆的导通电阻的出色结合，能够在高压应用中实现较低的传导损耗。
其动态特性经过优化，最大栅极电荷（Qg）仅为26nC，配合较低的输入电容，确保了快速开关性能，有助于降低高频工作下的开关损耗。该MOSFET采用DPAK表面贴装封装，在25°C壳温下可耗散70W功率，连续漏极电流额定值为5.4A，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，为设计紧凑且高效的电源解决方案提供了可靠选择。
- 型号:STD7NK40ZT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 400V 5.4A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:400 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.4A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 2.7A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:535 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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