STFI10NK60Z技术参数详情：
STFI10NK60Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-281（I2PAKFP）通孔封装。该器件设计用于高电压、高效率的开关应用，其核心电气参数包括600V的漏源击穿电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id）。
其技术优势体现在较低的导通损耗上，在10V栅极驱动下具有优化的导通电阻（Rds(on)）。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数有助于实现快速的开关速度并降低驱动损耗。器件工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业环境，是构建离线电源、电机驱动等功率转换系统的关键组件。
- 型号:STFI10NK60Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-281（I2PAKFP）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 10A I2PAKFP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 4.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
- 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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