STD7NM64N

STD7NM64N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，提供了640V的高漏源电压（Vdss）额定值和5A的连续漏极电流（Id）能力，专为高效功率开关应用而设计。

其核心优势在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为1.05欧姆，有效降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关瞬态，有助于提升系统效率和工作频率。器件采用DPAK表面贴装封装，最高结温达150°C，提供了可靠的功率处理和热管理能力。

• 型号:STD7NM64N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 640V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:640 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.05 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:363 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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