STD7NS20T4技术参数详情：
STD7NS20T4是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用MESH OVERLAY技术，封装为表面贴装型DPAK。该器件核心额定参数为漏源电压200V（Vdss），在壳温25°C下连续漏极电流达7A，适用于中等功率开关应用。
其关键电气特性包括在10V Vgs、3.5A Id条件下最大导通电阻仅为400毫欧，有助于降低导通损耗；最大栅极电荷低至45nC，有利于实现高速开关并降低驱动需求。器件最大功耗为45W（Tc），最高工作结温为150°C，确保了在 demanding 应用环境下的可靠性与稳定性。
- 型号:STD7NS20T4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 200V 7A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 3.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:540 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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