STV240N75F3

STV240N75F3是ST意法半导体STripFET III系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用表面贴装型10-PowerSO封装，核心优势在于其极低的导通电阻与高电流处理能力，其Rds(on)典型值低至2.6毫欧 @ 120A, 10V，并在25°C（Tc）下可支持高达240A的连续漏极电流，最大功率耗散为300W。

其电气参数设计旨在优化开关性能与效率。75V的漏源电压（Vdss）与仅100nC @ 10V的栅极电荷（Qg），配合±20V的栅源电压容限，共同确保了快速、高效的开关动作。这些特性使其非常适合应用于要求严苛的高功率、高效率场景，如大电流开关电源、电机驱动和功率分配系统。需要注意的是，该器件目前已处于停产状态。

• 型号:STV240N75F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 240A 10POWERSO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):240A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 毫欧 @ 120A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
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