STD80N4F6技术参数详情：
STD80N4F6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。该器件隶属于通过AEC-Q101认证的汽车级产品系列，集成了DeepGATE和STripFET VI技术，专为要求高可靠性和高效率的应用而设计。
其核心电气参数表现出色：漏源电压（Vdss）为40V，在管壳温度（Tc）下连续漏极电流（Id）高达80A。关键性能指标包括极低的导通电阻，在10V驱动电压、40A电流下最大值仅为6毫欧，以及优化的栅极电荷（最大值36nC @ 10V），这共同确保了极低的传导与开关损耗。器件工作结温范围宽至-55°C ~ 175°C，满足严苛环境下的稳定运行需求。
- 型号:STD80N4F6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2150 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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