STP6NK70Z

STP6NK70Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。该器件核心优势在于其700V的高漏源电压（Vdss）与优化的低导通电阻特性，能够在高压开关应用中有效降低导通损耗，提升系统效率。

其电气参数针对离线电源应用进行了平衡，在10V栅极驱动下具备较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），有利于实现快速的开关切换。器件额定连续漏极电流（Id）为5A（Tc），最大功耗110W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行与功率处理能力。

• 型号:STP6NK70Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:930 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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