STD80N6F6技术参数详情：
STD80N6F6是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的STripFET VI和DeepGATE技术，在60V的漏源电压（Vdss）下，能够提供高达80A（Tc）的连续电流处理能力，其核心优势在于极低的导通损耗，典型导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs、40A Id条件下仅为6.5毫欧。
同时，其优化的动态特性，如最大122nC的栅极电荷（Qg）和宽达±20V的栅源电压耐受范围，确保了快速、高效的开关操作，并简化了驱动电路设计。封装于DPAK（TO-252）表面贴装封装中，其工作结温范围覆盖-55°C至175°C，专为要求高可靠性和高效率的严苛应用环境而设计。
- 型号:STD80N6F6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:122 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7480 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:120W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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