TD352IN技术参数详情：
TD352IN是ST意法半导体生产的一款单通道高端栅极驱动器IC，采用8-DIP通孔封装。该器件设计用于驱动N沟道MOSFET或IGBT，其宽范围供电电压（12V-26V）和兼容性良好的逻辑输入（VIL/VIH: 0.8V/4.2V）使其易于集成到各类控制系统中。
其核心优势在于提供高达1.7A（拉）和1.3A（灌）的峰值输出电流，并具备快速的开关特性（典型上升/下降时间100ns），能有效驱动功率开关管实现高效、低损耗的切换。器件工作结温范围宽达-40°C至150°C，确保了在苛刻工业环境下的稳定性和耐用性。
- 型号:TD352IN
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-DIP
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:高端
- 通道类型:单路
- 驱动器数:1
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:12V ~ 26V
- 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，4.2V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.3A，1.7A
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
- 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns（最大）
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm）
- 供应商器件封装:8-DIP
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