STD8NM50N

STD8NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用MDmesh II技术，封装为表面贴装型DPAK。其核心优势在于高达500V的漏源电压（Vdss）和5A的连续漏极电流（Id）处理能力，为高压应用提供了坚实的基础。

该器件在性能上实现了优化平衡，导通电阻（Rds(on)）低至790毫欧（@10V， 2.5A），有效降低了传导损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为14nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗，提升系统整体效率。最大工作结温150°C和45W的功率耗散能力，确保了其在 demanding 应用环境下的长期可靠性。

• 型号:STD8NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
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