STD9NM60N技术参数详情：
STD9NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh II产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，核心规格包括600V的漏源电压(Vdss)和6.5A的连续漏极电流，为高压功率开关应用提供了坚实的基础。
其关键优势在于实现了低导通损耗与快速开关特性的优化组合。在10V驱动电压下，其导通电阻(Rds(on))典型值仅为745毫欧，同时最大栅极电荷(Qg)低至17.4nC。这一特性组合能有效降低系统的传导损耗和开关损耗，从而提升整体能效和功率密度。器件采用DPAK表面贴装封装，最大结温为150°C，适用于要求高可靠性和紧凑布局的电源转换与电机控制设计。
- 型号:STD9NM60N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:745 毫欧 @ 3.25A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.4 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:452 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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