STDLED623技术参数详情：
STDLED623是STMicroelectronics生产的一款N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。该器件核心优势在于其620V的高漏源电压(Vdss)和3A的连续漏极电流(Id)能力，为高压应用提供了坚实的基础。
其技术参数表现出色，在10V栅极驱动下，导通电阻(Rds(on))最大值仅为3.6欧姆，有助于显著降低导通损耗。同时，极低的栅极电荷(15.5nC)和输入电容(350pF)确保了快速的开关响应，适合高频开关电源设计。这些特性使其成为要求高效率和高可靠性的离线电源、LED驱动及电机控制应用的理想选择。
- 制造商产品型号：STDLED623
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 620V 3A DPAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：620V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：3A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.6 欧姆 @ 1.1A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：15.5nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：350pF @ 50V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：45W（Tc）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：DPAK
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