STW3N170

STW3N170是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心额定参数为漏源电压1700V，在壳温条件下连续漏极电流达2.6A，为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值仅为13欧姆（@1.3A），同时栅极电荷（Qg）低至44nC，这有效降低了导通损耗和开关损耗，提升了系统整体效率。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）和±30V的栅源电压容限，进一步保障了其在复杂工业环境中的稳定性和耐用性。

• 型号:STW3N170
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1700V 2.6A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13 欧姆 @ 1.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1100 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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