STDLED656

STDLED656是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。该器件核心特性在于其650V的高漏源击穿电压与6A的连续漏极电流处理能力，为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术参数表现出优异的开关性能，包括低至1.3欧姆的导通电阻（@10V， 2.7A）和仅34nC的栅极电荷（@10V），这有助于显著降低导通损耗和开关损耗，提升系统效率。此外，其支持±30V的栅源电压和150°C的最高工作结温，确保了设计的鲁棒性与可靠性。

• 型号:STDLED656
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 6A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 2.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:895 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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