STE110NS20FD技术参数详情：
STE110NS20FD是ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，采用MESH OVERLAY技术和ISOTOP封装，提供200V漏源电压和110A连续漏极电流，适用于高功率应用。
其关键特性包括低导通电阻（24毫欧 @ 50A，10V）和优化的栅极电荷（504nC @ 10V），确保高效开关和低损耗。最大功率耗散500W（Tc）和工作结温150°C，增强了热性能和可靠性，适合工业电源和电机驱动系统。
- 型号:STE110NS20FD
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:ISOTOP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 50A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:504 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7900 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:500W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:底座安装
- 供应商器件封装:ISOTOP
- 封装/外壳:ISOTOP
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