STB6N60M2技术参数详情：
STB6N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和4.5A的连续漏极电流（Id），为高压中等电流应用提供了坚实的基础。
其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上：最大1.2欧姆的低导通电阻（Rds(on)）有效降低了导通损耗，而最大仅8nC的低栅极电荷（Qg）确保了快速的开关速度，有助于提升系统效率与工作频率。这些特性使其成为开关电源、PFC电路及电机驱动等应用中追求高效率与高可靠性的优选功率开关解决方案。
- 型号:STB6N60M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.25A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:232 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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