STE250NS10

STE250NS10是ST意法半导体推出的一款采用ISOTOP封装的高性能N沟道功率MOSFET，隶属于其STripFET产品系列。该器件核心优势在于其卓越的电流处理能力与极低的导通损耗，其连续漏极电流（Tc）高达220A，且在10V驱动下导通电阻（Rds(on)）典型值极低，这使其在大电流开关应用中能显著减少导通状态下的功率耗散。

该MOSFET的额定漏源电压（Vdss）为100V，并具备500W（Tc）的强大功率耗散能力，结合其底座安装封装带来的优异散热性能，非常适合用于高功率密度和高可靠性的电源转换与电机驱动场景。需要注意的是，此型号目前已标记为停产状态。

• 型号:STE250NS10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 220A ISOTOP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):220A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 125A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:900 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:31000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:ISOTOP
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