STE30NK90Z技术参数详情：
STE30NK90Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用ISOTOP封装，核心参数包括900V的漏源电压（Vdss）和28A（Tc）的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。
其技术优势体现在优异的导通特性上，在10V栅极驱动、14A电流条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为260毫欧，有效降低了导通损耗。同时，490nC（@10V）的栅极电荷（Qg）与500W（Tc）的功率耗散能力，使其在追求高效率与高可靠性的功率开关设计中表现出色，适用于开关电源、电机驱动等严苛的工业环境。
- 型号:STE30NK90Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:ISOTOP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 900V 28A ISOTOP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:900 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:260 毫欧 @ 14A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:490 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12000 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:500W（Tc）
- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:底座安装
- 供应商器件封装:ISOTOP
- 封装/外壳:ISOTOP
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