STP80NE03L-06技术参数详情：
STP80NE03L-06是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB通孔封装。其核心优势在于高达80A的连续漏极电流处理能力和极低的导通电阻，在10V Vgs和40A Id条件下，Rds(on)最大值仅为6毫欧，这显著降低了功率传导损耗，提升了系统效率。
该器件设计用于30V的低压环境，栅极驱动兼容标准逻辑电平（Vgs(th)最大2.5V），并具备快速的开关特性（Qg最大130nC @ 5V）。其最大结温为175°C，功率耗散能力达150W（Tc），适用于要求高电流密度和良好热性能的应用，如DC-DC转换、电机驱动和电源开关等场景。
- 型号:STP80NE03L-06
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:130 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±22V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8700 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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