STE45NK80ZD

STE45NK80ZD是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperFREDmesh产品系列。该器件采用ISOTOP封装，核心电气参数为800V漏源电压（Vdss）和45A连续漏极电流（Id），具备高压大电流处理能力。

其技术亮点在于实现了低导通电阻（130mΩ @ 10V, 22.5A）与器件电容之间的优化平衡，有助于降低功率损耗，提升系统效率。该MOSFET设计用于严苛的工业环境，工作结温范围宽达-65°C至150°C，适用于要求高可靠性的功率开关应用。

• 型号:STE45NK80ZD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 45A ISOTOP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 22.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:781 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:26000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:600W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:ISOTOP
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