STE48NM60技术参数详情：
STE48NM60是ST意法半导体推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，隶属于其知名的MDmesh产品系列。该器件采用ISOTOP封装，专为底座安装设计，具备650V的高漏源耐压（Vdss）和48A（Tc）的高连续漏极电流处理能力，适用于高功率密度应用。
其核心优势在于优异的导通特性，在10V栅极驱动下具有较低的导通电阻，配合优化的栅极电荷，共同实现了低传导损耗与开关损耗的平衡。最大结温高达150°C，确保了其在严苛热环境下的稳定运行。这款MOSFET主要面向工业电源、电机驱动和能源转换等需要高效率与高可靠性的领域。
- 型号:STE48NM60
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:ISOTOP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 48A ISOTOP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):48A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 22.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:134 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3800 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:底座安装
- 供应商器件封装:ISOTOP
- 封装/外壳:ISOTOP
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