STE53NC50技术参数详情：
STE53NC50是ST意法半导体推出的一款采用ISOTOP封装的N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能PowerMESH II产品系列。该器件核心规格为500V漏源电压（Vdss）和53A连续漏极电流（Id），具备出色的功率处理能力。
其技术亮点在于实现了低导通电阻（80mΩ @ 27A, 10V）与优化栅极电荷（434nC @ 10V）的良好平衡，这直接转化为更低的传导损耗与开关损耗，有助于提升系统整体效率。结合高达460W的功率耗散能力和150°C的最大结温，该器件为高可靠性、高功率密度的电源与电机驱动应用提供了理想的解决方案。
- 型号:STE53NC50
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:ISOTOP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):53A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 27A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:434 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11200 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:460W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:底座安装
- 供应商器件封装:ISOTOP
- 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC
- 现在可以订购STE53NC50，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
