VND830E-E技术参数详情：
VND830E-E是ST意法半导体VIPower系列中的一款双通道高端智能功率开关。该器件集成了两个独立的N沟道功率MOSFET，每个通道可提供高达9.5A的输出电流，并支持5.5V至36V的宽负载电压范围，无需外部Vcc供电，极大简化了系统设计。
其核心价值在于卓越的功率处理能力与全面的集成保护。典型导通电阻仅为65毫欧，有效降低了导通损耗。器件内置了固定阈值限流、过温关断、过压钳位及开路负载检测等多重保护功能，其中限流保护具备自动重启特性，增强了系统的鲁棒性。该芯片采用16-SO表面贴装封装，工作结温范围为-40°C至150°C，适用于要求高可靠性的汽车与工业应用环境。
- 制造商产品型号：VND830E-E
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 16SO
- 产品系列：电源管理IC - 配电开关，负载驱动器
- 包装：管件
- 系列：VIPower
- 零件状态：有源
- 开关类型：通用
- 输出数：2
- 比率-输入:输出：1：1
- 输出配置：高端
- 输出类型：N 通道
- 接口：开/关
- 电压-负载：5.5V ~ 36V
- 电压-供电(Vcc/Vdd)：不需要
- 电流-输出（最大值）：9.5A
- 导通电阻（典型值）：65 毫欧（最大）
- 输入类型：非反相
- 特性：带有自动重启功能
- 故障保护：限流（固定），开路负载检测，超温，过压
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：16-SO
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