STE70NM60技术参数详情：
STE70NM60是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和70A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动下典型值仅为55毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，优化的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换，降低开关损耗。器件采用ISOTOP封装，支持高达600W的功率耗散和150°C的结温，确保了出色的热管理和长期运行可靠性。
- 型号:STE70NM60
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:ISOTOP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:266 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7300 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:600W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:底座安装
- 供应商器件封装:ISOTOP
- 封装/外壳:ISOTOP
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