STF10N105K5技术参数详情：
STF10N105K5是ST意法半导体MDmesh K5系列中的一款高压N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220FP封装，其核心优势在于1050V的高漏源电压（Vdss）与优化的动态开关特性的出色结合。
在Tc=25°C时，其连续漏极电流（Id）可达6A，同时具备较低的导通电阻（RDS(on)）和栅极电荷（Qg），这直接转化为更低的导通损耗和开关损耗，显著提升电源转换效率。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了在严苛环境下的可靠运行，使其成为工业级开关电源和功率校正电路的理想选择。
- 型号:STF10N105K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 1050V 6A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:1050 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:545 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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