STBV42G-AP技术参数详情：
STBV42G-AP是ST意法半导体推出的一款高压NPN双极性晶体管，采用TO-92AP通孔封装。其核心特性在于高达400V的集电极-发射极击穿电压和1A的集电极电流容量，专为需要耐受高压的开关应用而设计。
该器件在750mA集电极电流下的饱和压降最大仅为1.5V，有助于降低导通损耗。其设计侧重于提供可靠的开关性能，直流电流增益（hFE）典型最小值为10，确保在开关状态下能够快速进入饱和与截止。最大功耗1W和150°C的结温工作范围，使其能够适应多种工业环境下的应用需求。
- 型号:STBV42G-AP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-92AP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
- 描述:TRANS NPN 400V 1A TO-92AP
- 系列:-
- 包装:带盒（TB）
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:1 A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:400 V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1.5V @ 250mA，750mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:10 @ 400mA，5V
- 功率 - 最大值:1 W
- 频率 - 跃迁:-
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
- 供应商器件封装:TO-92AP
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