STF11N52K3

STF11N52K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH3系列。该器件设计用于高压开关应用，核心优势在于其525V的漏源电压额定值与10A的连续漏极电流能力，为功率转换电路提供了坚固的电气基础。

其技术亮点在于通过优化的工艺实现了低导通电阻（典型510mΩ @ 5A, 10V）与低栅极电荷（最大51nC @ 10V）的良好结合。这种特性组合有效降低了导通损耗和开关损耗，有助于提升系统效率。TO-220FP封装便于散热设计，支持高达30W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在多种环境下的稳定运行。

• 型号:STF11N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 10A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:510 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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