STF11N65K3技术参数详情：
STF11N65K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心规格包括650V的漏源电压（Vdss）以及在壳温条件下11A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。
其技术优势体现在优化的动态与静态参数上：在10V栅极驱动下具有较低的导通电阻，有助于减少传导损耗；同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过设计优化，有利于降低开关损耗并提升工作频率。这些特性使其成为提升开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路以及照明电子镇流器等应用能效和功率密度的理想选择。
- 型号:STF11N65K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:850 毫欧 @ 3.6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1180 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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