STF12N120K5技术参数详情：
STF12N120K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件核心优势在于其1200V的高耐压与12A的电流处理能力，结合低至690毫欧（@10V，6A）的导通电阻，显著降低了功率损耗，提升了系统整体效率。
其技术特性包括优化的栅极电荷（最大44.2nC）和宽栅极电压范围（±30V），有助于实现快速开关并简化驱动设计。器件采用TO-220FP绝缘封装，最大结温150°C，功耗40W（Tc），确保了在高压、高功率应用环境下的长期运行可靠性。
- 型号:STF12N120K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 1200V 12A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:690 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.2 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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