STF12N65M5技术参数详情：
STF12N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件核心优势在于结合了650V的高耐压与低导通电阻特性，在10V栅极驱动下，导通电阻典型值低至430毫欧，同时栅极电荷仅为22nC，这使其在高压开关应用中能同时实现低传导损耗与低开关损耗。
其额定连续漏极电流为8.5A（Tc=25°C），采用TO-220FP通孔封装，便于散热安装，最高结温达150°C，确保了在工业级功率应用中的长期稳定运行。这些参数使其成为开关电源、PFC电路及电机驱动等高效能、高可靠性设计的理想选择。
- 型号:STF12N65M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:430 毫欧 @ 4.3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-5 整包
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