STF12NK80Z技术参数详情：
STF12NK80Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心优势在于其800V的高漏源电压（Vdss）与10.5A的连续漏极电流（Id）处理能力，为高压大电流应用提供了基础保障。
其技术亮点在于实现了优异的导通特性与开关性能的平衡。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为750毫欧，有助于显著降低导通损耗。同时，最大87nC的栅极电荷（Qg）有利于实现高效的开关操作，减少驱动损耗。器件采用TO-220FP封装，最大功率耗散为40W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在工业级应用中的稳定性和可靠性。
- 型号:STF12NK80Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 5.25A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:87 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2620 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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