STL11N4LLF5

STL11N4LLF5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET V产品系列。该器件采用PowerFlat（3.3x3.3）表面贴装封装，在紧凑的体积内提供了40V的漏源电压（Vdss）和高达11A（Tc）的连续漏极电流处理能力。

其核心优势在于极低的导通损耗与出色的开关性能。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为9.7毫欧，有效降低了导通状态下的功率耗散。同时，其栅极电荷（Qg）最大值低至12.9nC，结合2.5V的栅极阈值电压，确保了快速、高效的开关动作，非常适合用于高频开关电源和电机驱动电路，以优化系统整体能效和功率密度。

• 型号:STL11N4LLF5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 11A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.7 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.9 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1570 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.9W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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