STF12NM50ND

STF12NM50ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于FDmesh II产品系列。该器件采用TO-220FP通孔封装，核心规格包括500V的漏源击穿电压（Vdss）和11A的连续漏极电流（Id），为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的良好结合，典型导通电阻（Rds(on)）为380mΩ @ 10V，栅极总电荷（Qg）仅为30nC @ 10V。这一特性组合有助于显著降低导通损耗和开关损耗，提升系统整体效率。器件最高结温为150°C，最大功率耗散25W，确保了在严苛工况下的稳定运行能力。

• 型号:STF12NM50ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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