STF13N60M2

STF13N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件设计用于高压、高效率的开关应用，其核心优势在于600V的漏源电压（Vdss）与低至380毫欧的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这有效降低了导通损耗，提升了电源转换效率。

此外，该MOSFET具备极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这赋予了其优异的快速开关能力，有助于实现更高频率的电源设计，从而缩小系统尺寸。器件采用TO-220FP封装，在25°C壳温下可支持11A的连续漏极电流，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性，适用于工业电源、PFC电路及电机控制等领域。

• 型号:STF13N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:580 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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