STF13N95K3技术参数详情：
STF13N95K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心特性包括高达950V的漏源电压(Vdss)和10A的连续漏极电流(Id)，为高压大电流应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于实现了高耐压与低导通特性的良好结合，在10V驱动电压下，导通电阻(Rds(on))典型值仅为850毫欧，有助于显著降低传导损耗。同时，优化的栅极电荷(Qg)和开关特性确保了快速、高效的开关性能，有利于提升整体系统的能效和功率密度。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和能源转换系统中功率开关单元的可靠选择。
- 型号:STF13N95K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 950V 10A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:950 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:850 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1620 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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