STH290N4F6-2AG

STH290N4F6-2AG是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于通过AEC-Q101认证的Automotive STripFET系列。该器件采用先进的沟槽栅技术，在40V的漏源电压（V_DSS）下，能够持续承载高达180A（T_C）的漏极电流，展现出强大的功率处理能力。

其核心优势在于极低的导通电阻，在10V驱动电压和45A电流条件下，R_DS(on)最大值仅为1.7毫欧，这能显著降低功率传导损耗。同时，优化的栅极电荷（Q_G 最大值115nC @ 10V）确保了快速的开关特性和较低的驱动损耗。器件采用H2PAK-2表面贴装封装，结温范围覆盖-55°C至175°C，专为要求高可靠性、高效率的严苛应用环境而设计。

• 型号:STH290N4F6-2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.7毫欧 @ 45A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:115 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7380 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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