STF13NM60N-H技术参数详情：
STF13NM60N-H是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220FP封装，额定电压为600V，在壳温25°C下可支持11A的连续漏极电流，最大功耗为25W。
其核心电气特性在于实现了低导通损耗与低开关损耗的良好平衡。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为360毫欧（@5.5A），同时栅极电荷（Qg）被控制在30nC以内。这些参数共同确保了器件在高压开关应用中具备高效率与快速开关性能。该MOSFET设计工作结温最高可达150°C，适用于要求严苛的功率转换环境。
- 型号:STF13NM60N-H
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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