STF14NM50N

STF14NM50N是ST意法半导体基于MDmesh II技术开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其500V的漏源电压（V_DSS）额定值与低至320毫欧（@10V，6A）的导通电阻（R_DS(on)）的出色结合，为高压应用提供了优异的导通性能。

其设计同时注重开关效率，典型栅极电荷（Q_g）仅为27nC，有助于降低开关损耗并支持更高频率的操作。器件采用TO-220FP封装，在25°C壳温下可支持12A的连续漏极电流，最大功耗为25W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在工业级功率转换应用中的坚固性和可靠性。

• 型号:STF14NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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