STD170N4F7AG技术参数详情：
STD170N4F7AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件采用STripFET技术，在DPAK封装内实现了优异的功率密度，其关键参数包括40V的漏源电压和高达80A的连续漏极电流处理能力。
其核心优势在于极低的导通损耗，在10V Vgs、40A Id条件下，导通电阻最大值仅为2.8毫欧。同时，63nC的最大栅极电荷有助于实现高效的开关性能。该器件设计工作于-55°C至175°C的宽结温范围，适用于要求高可靠性和高效率的汽车电子功率管理应用。
- 型号:STD170N4F7AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CHANNEL 40V 80A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:63 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4350 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:172W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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