STF15N80K5

STF15N80K5是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的SuperMESH5产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心规格包括800V的漏源电压（Vdss）和14A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的电压与电流处理能力基础。

其技术亮点在于通过SuperMESH5技术实现了优异的动态性能与静态损耗的平衡。具体表现为较低的导通电阻（RDS(on)）和优化的栅极电荷（Qg），这有助于显著降低导通与开关损耗，提升整体能效。宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）和35W的功率耗散能力，确保了其在各种环境下的可靠性与稳定性。

• 型号:STF15N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:375 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1100 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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