STF15NM60ND技术参数详情：
STF15NM60ND是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其FDmesh II系列。该器件采用TO-220FP封装，核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）与14A的连续漏极电流（Id）能力，为中高压功率应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至299毫欧（@7A），有效降低了导通损耗；同时，最大40nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速开关并减少驱动损耗。这些特性使其在要求高效率的开关电源和电机驱动等应用中表现出色。
- 型号:STF15NM60ND
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 14A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 7A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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