STF16N50M2

STF16N50M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件设计用于高压开关应用，核心特性包括500V的漏源电压（Vdss）和13A的连续漏极电流（Id）承载能力。

其关键优势在于实现了低导通损耗与快速开关的平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为280毫欧，同时栅极电荷（Qg）被控制在19.5nC以内，这有助于提升系统效率并降低开关损耗。器件采用TO-220封装，工作结温范围达-55°C至150°C，为各种功率转换和电机控制应用提供了可靠的解决方案。

• 型号:STF16N50M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 13A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
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